本发明提供包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法。一种包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的蚀刻方法,所述蚀刻液的pH为2.5~5,包含(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的无机酸、(C)有机酸、(D)碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物、(E)唑类以及(F)过氧化氢稳定剂。
1.一种包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液,其pH为
2.5~5,包含(A)过氧化氢4.5~7.5质量%、(B)不含氟原子的无机酸0.01~3质量%、(C)选自琥珀酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸及苹果酸中的至少一种有机酸5~13质量%、(D)碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物2~7质量%、(E)5-氨基-1H-四唑0.001~0.3质量%以及(F)过氧化氢稳定剂0.01~0.5质量%。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液,其中,(B)无机酸为硫酸及/或硝酸。
3.根据权利要求1~2中任一项所述的蚀刻液,其中,(D)胺类化合物为选自乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N,N-二乙基-1,3-丙二胺中的至少一种。
4.根据权利要求1~2中任一项所述的蚀刻液,其中,(F)过氧化氢稳定剂为苯基脲。
5.根据权利要求1~2中任一项所述的蚀刻液,其还预先包含铜离子100~2000ppm。
6.根据权利要求1~2中任一项所述的蚀刻液,其中,多层薄膜为在钼层上层叠铜层的薄膜。
7.一种包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法,其特征在于,使蚀刻对象物接触权利要求1~5中任一项所述的蚀刻液。
8.根据权利要求7所述的蚀刻方法,其中,多层薄膜为在钼层上层叠铜层的薄膜。技术领域
本发明涉及包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液。特别是,本发明的蚀刻液适合地用于在钼层上设置有铜层的多层薄膜的蚀刻。
背景技术
一直以来,作为平板显示器等显示设备的布线材料,一般使用铝或者铝合金。然而,伴随着显示器的大型化及高分辨率化,这样的铝系的布线材料存在因布线电阻等特性而发生信号延迟的问题、难以进行均匀的画面显示的倾向。因此,正在进行采用作为电阻更低的材料的铜或以铜为主要成分的布线的研究。然而,铜虽然具有电阻低这一优点,但另一方面存在如下问题:在栅极布线(gatexa0wiring)中使用的情况下,玻璃等基板与铜的密合性不充分,另外在源极/漏极布线中使用的情况下,有时会发生向作为其基底的有机硅半导体膜扩散的情况。因此,为了防止这些问题,进行了层叠配备与玻璃等基板的密合性高且兼具难以发生向有机硅硅半导体膜扩散的阻隔性的金属的阻隔膜的研究,钼(Mo)作为这种金属受到人们的注目。然而,包含铜、以铜为主要成分的铜合金的层叠膜通过溅射法等成膜工艺形成于玻璃等基板上,接着经过以抗蚀层等为掩膜进行蚀刻的蚀刻工序而形成电极图案。而且,该蚀刻工序的方式中存在有使用蚀刻液的湿式(wet)和使用等离子体等蚀刻气体的干式(dry)。此处,对湿式(wet)中使用的蚀刻液提出了如下要求:(i)加工精度高、(ii)蚀刻残渣少,(iii)蚀刻的不均匀少,(iv)对于作为蚀刻对象的包含铜的布线材料的金属的溶解而言,蚀刻性能稳定(镀液寿命(bathxa0life)的延长效果)等,此外,为了应对显示器的大型化及高分辨率化,(v)使蚀刻后的布线剖面形状为规定的范围内,在蚀刻后得到良好的布线剖面形状。更具体提出了如下要求:图1所示的、铜布线端部的蚀刻面与下层的基板形成的角度(锥角)为30~60°的正锥形状,从抗蚀层端部到与设置在布线之下的阻隔膜接触的布线端部为止的距离(CD损失)为1.2μm以下,优选为1μm以下。作为包含铜、以铜为主要成分的铜合金的层叠膜的蚀刻工序中使用的蚀刻液,提出了例如包含中性盐、无机酸和选自有机酸中的至少一个、过氧化氢、过氧化氢稳定剂的蚀刻溶液(例如专利文献1),含有规定量的过氧化氢、有机酸、磷酸盐、两种含氮添加剂、氟化化合物以及水的蚀刻溶液(例如专利文献2)等。但是,任一种蚀刻后的布线剖面形状都无法充分满足,结果有时无法充分应对显示器的大型化及高分辨率化。另外,专利文献2中公开的蚀刻溶液含有氟化化合物,从环境对策的观点考虑也是无法充分满足的。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特许第4282927号说明书专利文献2:日本特开2004-193620号公报
附图说明
图1所示为使用本发明的蚀刻液进行蚀刻时的、具有包含铜层及钼层的多层薄膜的布线剖面的模式图。
发明内容
发明要解决的课题本发明是在这样的状况下进行的,其目的在于,提供一种包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液以及使用了其的包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法。用于解决问题的方案本发明人等为了实现前述目的而反复进行了深入研究,结果发现通过在蚀刻液中以(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的无机酸、(C)有机酸、(D)胺类化合物、(E)唑类以及(F)过氧化氢稳定剂这一特定的组合进行配混,并将pH设定在2.5~5的范围内,可实现其目的。本发明基于这些见解而完成。即,本发明的要旨如下所述。[1]一种包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液,其pH为2.5~5,包含(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的无机酸、(C)有机酸、(D)碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物、(E)唑类以及(F)过氧化氢稳定剂。[2]根据上述1所述的蚀刻液,其中,(B)无机酸为硫酸及/或硝酸。[3]根据上述1或2所述的蚀刻液,其中,(C)有机酸为选自琥珀酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸及苹果酸中的至少一种。[4]根据上述1~3中任一项所述的蚀刻液,其中,(D)胺类化合物为选自乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N,N-二乙基-1,3-丙二胺中的至少一种。[5]根据上述1~4中任一项所述的蚀刻液,其中,(E)唑类为5-氨基-1H-四唑。[6]根据上述1~5中任一项所述的蚀刻液,其中,(F)过氧化氢稳定剂为苯基脲。[7]根据上述1~6中任一项所述的蚀刻液,其包含(A)过氧化氢4.5~7.5质量%、(B)无机酸0.01~3质量%、(C)有机酸5~13质量%、(D)胺类化合物2~7质量%、(E)唑类0.001~0.5质量%以及(F)过氧化氢稳定剂0.01~0.5质量%。[8]根据上述1~7中任一项所述的蚀刻液,其还包含铜离子200ppm以上。[9]根据上述1~8中任一项所述的蚀刻液,其中,多层薄膜为在钼层上层叠铜层的薄膜。[10]一种包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法,其特征在于,使蚀刻对象物接触上述1~8中任一项所述的蚀刻液。[11]根据上述10所述的蚀刻方法,其中,多层薄膜为在钼层上层叠铜层的薄膜。发明的效果根据本发明,可提供一种蚀刻液以及使用了其的包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法,其中,在包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻工序中,加工精度高,蚀刻残渣、不均匀少,镀液寿命被延长,且在蚀刻后得到良好的布线剖面形状,从而可应对显示器的大型化及高分辨率化。另外,通过该蚀刻方法,可将具有包含铜层及钼层的多层薄膜的布线一并进行蚀刻,因而可以以高生产率得到,且可使蚀刻后的布线剖面形状为良好。
具体实施方式
[包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液]本发明的蚀刻液用于蚀刻包含铜层及钼层的多层薄膜,其特征在于,其pH为2.5~5,包含(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的无机酸、(C)有机酸、(D)碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物、(E)唑类以及(F)过氧化氢稳定剂。《(A)过氧化氢》本发明的蚀刻液中使用的过氧化氢作为氧化剂具有氧化铜布线的功能,并且具有氧化溶解钼的功能,在该蚀刻液中的含量优选为3~10质量%,更优选为4.5~7.5质量%。如果过氧化氢的含量在上述范围内,则过氧化氢的管理变得容易、且可确保适度的蚀刻速度,从而使蚀刻量的控制变得容易,因此优选。《(B)不包含氟原子的无机酸》本发明的蚀刻液中使用的不包含氟原子的无机酸有助于溶解被(A)过氧化氢氧化的铜,在本发明中,从环境对策的观点考虑,采用不包含氟原子的酸。作为不包含氟原子的无机酸,可优选地列举出硫酸、硝酸、盐酸、磷酸、次磷酸(hypophosphoricxa0acid)、碳酸、氨基磺酸、硼酸等,它们可单独使用或多个混合使用。其中优选硫酸、硝酸。蚀刻液中的(B)无机酸的含量优选为0.01~5质量%,更优选为0.01~3质量%。如果无机酸的含量在上述范围内,则可得到适度的蚀刻速度、且可在蚀刻后得到良好的布线剖面形状。《(C)有机酸》本发明的蚀刻液中使用的有机酸有助于去除铜及钼的蚀刻、以及源自钼的残渣,该蚀刻液中的含量优选为1~15质量%,更优选为5~13质量%。如果有机酸的含量为上述范围内,则可充分地进行铜及钼的蚀刻和源自钼的残渣的去除,且可在蚀刻后得到良好的布线剖面形状。另外,在蚀刻后还作为所含有的铜离子的掩蔽剂发挥功能,从而可抑制由铜导致的过氧化氢的分解。作为有机酸,除了碳原子数1~18的脂肪族羧酸、碳原子数6~10的芳香族羧酸之外,还可优选地列举出碳原子数1~10的氨基酸等。作为碳原子数1~18的脂肪族羧酸,可优选地列举出甲酸、乙酸、丙酸、乳酸、乙醇酸、二甘醇酸、丙酮酸、丙二酸、丁酸、羟基丁酸、酒石酸、琥珀酸、苹果酸、马来酸、富马酸、戊酸、戊二酸、衣康酸、己二酸、己酸、己二酸、柠檬酸、丙烷三羧酸、反式乌头酸、庚酸、辛酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸、油酸、亚油酸、亚麻酸等。作为碳原子数6~10的芳香族羧酸,优选列举出苯甲酸、水杨酸、扁桃酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸等。另外,作为碳原子数1~10的氨基酸,优选列举出氨基甲酸、丙氨酸、甘氨酸、门冬酰胺、天门冬氨酸、肌氨酸、丝氨酸、谷氨酰胺、谷氨酸、4-氨基丁酸、亚氨基二丁酸、精氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、氨三乙酸等。作为有机酸,在上述有机酸中优选乙酸、琥珀酸、丙氨酸、柠檬酸、苹果酸、乳酸、乙醇酸、酒石酸、丙二酸、甘氨酸、戊二酸、马来酸、反式乌头酸,其中特别优选琥珀酸、苹果酸、乳酸、乙醇酸以及丙二酸,它们可单独使用或组合多个而使用。《(D)胺类化合物》本发明的蚀刻液中使用的胺类化合物有助于蚀刻后的良好的布线剖面形状,其碳原子数为2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的化合物。作为这样的胺类化合物,可优选地列举出乙二胺、三亚甲基二胺、四亚甲基二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺、N,N-二甲基-1,3-丙二胺、N,N-二乙基-1,3-丙二胺、1,3-二氨基丁烷、2,3-二氨基丁烷、五亚甲基二胺、2,4-二氨基戊烷、六亚甲基二胺、七亚甲基二胺、八亚甲基二胺、九亚甲基二胺、N-甲基乙二胺、N,N-二甲基乙二胺、三甲基乙二胺、N-乙基乙二胺、N,N-二乙基乙二胺、三乙基乙二胺、1,2,3-三氨基丙烷、肼、三(2-氨基乙基)胺、四(氨基甲基)甲烷、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四乙基五胺、七亚乙基八胺、九亚乙基十胺、二氮杂双环十一碳烯等多胺,乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-氨基乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N-甲基异丙醇胺、N-乙基异丙醇胺、N-丙基异丙醇胺、2-氨基丙烷-1-醇、N-甲基-2-氨基-丙烷-1-醇、N-乙基-2-氨基-丙烷-1-醇、1-氨基丙烷-3-醇、N-甲基-1-氨基丙烷-3-醇、N-乙基-1-氨基丙烷-3-醇、1-氨基丁烷-2-醇、N-甲基-1-氨基丁烷-2-醇、N-乙基-1-氨基丁烷-2-醇、2-氨基丁烷-1-醇、N-甲基-2-氨基丁烷-1-醇、N-乙基-2-氨基丁烷-1-醇、3-氨基丁烷-1-醇、N-甲基-3-氨基丁烷-1-醇、N-乙基-3-氨基丁烷-1-醇、1-氨基丁烷-4-醇、N-甲基1-氨基丁烷-4-醇、N-乙基-1-氨基丁烷-4-醇、1-氨基-2-甲基丙烷-2-醇、2-氨基-2-甲基丙烷-1-醇、1-氨基戊烷-4-醇、2-氨基-4-甲基戊烷-1-醇、2-氨基己烷-1-醇、3-氨基庚烷-4-醇、1-氨基辛烷-2-醇、5-氨基辛烷-4-醇、1-氨基丙烷-2,3-二醇、2-氨基丙烷-1,3-二醇、三(羟甲基)氨基甲烷、1,2-二氨基丙烷-3-醇、1,3-二氨基丙烷-2-醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙氨基)乙醇、二甘醇胺等的烷醇胺,它们可单独使用或组合多个使用。它们之中,特别优选乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N,N-二乙基-1,3-丙二胺。本发明的蚀刻液中的胺类化合物的含量优选为1~10质量%,更优选为2~7质量%。如果胺类化合物的含量为上述范围内,则可在蚀刻后得到良好的布线剖面形状。《(E)唑类》作为本发明的蚀刻液中使用的唑类,可优选地列举出1H-苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑、3-氨基-1H-三唑等三唑类,1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、5-氨基-1H-四唑等四唑类,1H-咪唑、1H-苯并咪唑等咪唑类,1,3-噻唑、4-甲基噻唑等噻唑类等。它们之中优选四唑类,其中优选5-氨基-1H-四唑。蚀刻液中的唑类的含量优选为0.001~1质量%,更优选为0.001~0.5质量%。如果唑类的含量为上述范围内,则可抑制蚀刻后的CD损失的增大,并且可在蚀刻后得到良好的布线剖面形状。《(F)过氧化氢稳定剂》本发明的蚀刻液含有过氧化氢稳定剂。作为过氧化氢稳定剂,只要是通常用作过氧化氢稳定剂的物质则可无限定地使用,除了苯基脲、烯丙基脲、1,3-二甲基脲、硫脲等尿素系过氧化氢稳定剂之外,还可优选地列举出苯乙酰胺、苯乙二醇等,其中优选苯基脲。从充分地得到其添加效果的观点考虑,本发明的蚀刻液中的(F)过氧化氢稳定剂的含量优选为0.01~0.5质量%,更优选为0.01~0.3质量%。《pH》本发明的蚀刻液的pH需要为2.5~5。pH不足2.5时,钼被蚀刻溶解时生成的钼氧化物变得难以溶解,其结果,有时会在蚀刻后产生源自钼氧化物的残渣,引起漏泄而导致电特性降低。另外,pH大于5时,(A)过氧化氢的稳定性降低,铜布线的蚀刻速度降低,镀液寿命也减少。从这样的观点考虑,本发明的蚀刻液的pH优选为2.5~5。《铜离子》出于从使用初期起就提高蚀刻性能的目的,本发明的蚀刻液优选预先含有铜离子。通过向蚀刻液中加入铜粉末或硫酸铜、硝酸铜等铜盐,可使铜离子含于蚀刻液中。蚀刻液中的铜离子的浓度优选为100ppm以上,更优选为200ppm以上。另外,浓度的上限只要不降低蚀刻性能就没有限定,但是考虑镀液寿命等时,优选为2000ppm以下,更优选为1000ppm以下。《其它的成分》本发明的蚀刻液中除了上述的(A)~(F)成分之外,还可以以不损害蚀刻液的效果的范围包含水、其它的蚀刻液中通常使用的各种添加剂。作为水,优选为通过蒸馏、离子交换处理、过滤器处理、各种吸附处理等去除金属离子、有机杂质、颗粒粒子等而得到的水,特别优选纯水、超纯水。[包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻方法]本发明的蚀刻方法为蚀刻包含铜层及钼层的多层薄膜的方法,其特征在于,使用本发明的蚀刻液、即、pH为2.5~5且包含(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的无机酸、(C)有机酸、(D)碳原子数2~10且具有合计基团数为二以上的氨基和羟基的胺类化合物、(E)唑类以及(F)过氧化氢稳定剂的包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液,其具有使蚀刻对象物与本发明的蚀刻液接触的工序。另外,通过本发明的蚀刻方法,可将包含铜层及钼层的多层薄膜一并进行蚀刻,并可在蚀刻后得到良好的布线剖面形状。在本发明的蚀刻方法中,蚀刻液例如以图1所示那样的物质为蚀刻对象物,所述物质通过在玻璃等基板上依次层叠由钼系材料形成的阻隔膜(钼层)和由铜或以铜为主要成分的材料形成的铜布线(铜层)而形成包含铜层及钼层的多层薄膜,并在其上进一步涂布抗蚀剂,曝光转印所希望的图案掩模,进行显影并形成所希望的抗蚀图案而得到。此处,在本发明中,包含铜层及钼层的多层薄膜以如图1那样在钼层上存在铜层的方式为代表,进一步还包括在该铜层上存在钼层的方式。另外,这样的包含铜层及钼层的多层薄膜可适合地用于平板显示器等显示设备等的布线中。因此,在钼层上存在铜层的蚀刻对象物从利用领域的观点考虑也是优选的方式。铜布线只要是由铜或以铜为主要成分的材料形成则没有特别限定,作为形成该阻隔膜的钼系材料,可列举出钼(Mo)金属或者Mo系合金等。对使蚀刻液与蚀刻对象物接触的方法没有特别限定,例如可采用通过滴加(单片旋转处理)、喷雾等的形式使蚀刻液与对象物接触的方法,或将对象物浸渍于蚀刻液的方法等湿式(wet)蚀刻方法。在本发明中,可优选地采用向对象物滴加(单片旋转处理)蚀刻液而使其接触的方法,将对象物浸渍于蚀刻液而使其接触的方法。蚀刻液的使用温度优选20~60°C的温度,特别优选30~50°C。如果蚀刻液的温度为20°C以上,则蚀刻速度不会变得过低,因而生产效率不会显著降低。另一方面,如果为低于沸点的温度,则可抑制液体组成变化,将蚀刻条件保持为恒定。提高蚀刻液的温度虽可提升蚀刻速度,但在考虑将蚀刻液的组成变化抑制为小等方面的基础上适当决定最优的处理温度即可。在本发明的蚀刻方法中,蚀刻液中所包含的过氧化氢如上述那样地在铜、钼的氧化溶解等中被消耗,另外,这些溶解出的铜、钼会促进过氧化氢的分解,因此有时发生蚀刻液的性能因过氧化氢浓度的降低而降低的情况。在这样的情况下,通过同时或者分别添加适当(A)过氧化氢和(C)掩蔽金属的有机酸,可延长镀液寿命。实施例下面,通过实施例对本说明进行更详细的说明,但本发明不受这些例子的任何限定。(蚀刻后的包含铜层及钼层的多层薄膜的剖面的观察)将由实施例和比较例得到的、进行了蚀刻后的包含铜层及钼层的多层薄膜试样切断,并使用扫描型电子显微镜(“S5000形(型号)”,日立制作所制造)以30000倍的观察倍率(加速电压2kV、加速电流10μA)进行了观察。根据所得到的SEM图像,得到了图1所示的锥角、CD损失(μm)。锥角、CD损失(μm)只要在表1记载的基准范围内则记为合格,判断了蚀刻液的性能。(蚀刻残渣的评价)使用扫描型电子显微镜(“S5000形(型号)”,日立制作所制造)以50000倍的观察倍率(加速电压2kV、加速电流10μA)观察由实施例和比较例得到的、进行了蚀刻后的包含铜层及钼层的多层薄膜试样的表面,并按照下述的基准对该试样的残渣进行了评价。○:完全无法确认出残渣△:确认出少许残渣,但不对布线性能造成影响,在实用上没有问题×:确认出显著的残渣[表1]
xa0xa0合格范围
xa0xa0CD损失(=a)(μm)
xa0xa01以下
xa0xa0锥角(°)
xa0xa030~60
制作例(包含铜层及钼层的多层薄膜的制作)以玻璃为基板,将钼(Mo)进行溅射从而形成包含钼的阻隔膜(钼层),接着溅射以铜为主要成分的材料而形成以铜为主要成分的布线(铜层),接着涂布抗蚀剂,曝光转印图案掩模后,进行显影,从而制作了形成有图案的、在钼层上层叠有铜层的、包含铜层及钼层的多层薄膜。实施例1~5将由制作例得到的包含铜层及钼层的多层薄膜在表2所示的蚀刻液中进行淋浴喷雾,在35°C下反复进行蚀刻的作业,对于所得到的蚀刻后的包含铜层及钼层的多层薄膜试样,通过上述方法利用SEM观察得到该蚀刻液中的铜离子浓度(有时记为Cu浓度)在低浓度域(200-1000ppm,有时记为Cu低浓度域)和在高浓度域(3000-4000ppm,有时记为Cu高浓度域)中的锥角、CD损失(μm)。另外,将通过目视判断抗蚀剂未被图案化的区域的蚀刻对象物受到蚀刻的时间设定为正好蚀刻时间(justxa0etchingxa0time),以该正好蚀刻时间的110~300%范围内的任意比例进行蚀刻处理(过蚀刻(overxa0etching))的时间设定为蚀刻时间(例如,正好蚀刻时间为100秒时,如果是50%的过蚀刻,则其蚀刻时间为150秒)。将这些评价示于表2。[表2]ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="628"/>*1,三菱瓦斯化学株式会社制造*2,和光纯药工业株式会社制造*3,5-氨基-1H-四唑,和光纯药工业株式会社制造*4,苯基脲,和光纯药工业株式会社制造实施例6及7以铜离子浓度为200ppm、6000ppm的方式预先向实施例4中使用的蚀刻液4中加入铜粉末,除此之外,与实施例4同样地操作,进行蚀刻,分别作为实施例6和7。将进行第一次蚀刻而得到的包含铜层及钼层的多层薄膜的锥角、CD损失(μm)、残渣的评价示于表3。另外,表3中示出实施例4的进行第一次蚀刻而得到的包含铜层及钼层的多层薄膜的锥角、CD损失(μm)、残渣的评价。[表3]ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="700"/>比较例1~5除了实施例1中的蚀刻液使用表4所示配混的蚀刻液之外,与实施例1同样地操作,进行了蚀刻。将所得到的包含铜层及钼层的多层薄膜的锥角、CD损失(μm)、残渣的评价示于表4。[表4]ntent="drawing" img-format="tif" inline="no" orientation="portrait" wi="578"/>*5,在Cu高浓度域内,在布线剖面形状中发生了倒切(undercut),即,下层的钼相比于上层的铜而言被选择性地蚀刻。*6,没有蚀刻。*7,抗蚀层发生剥离。使用了本发明的蚀刻液的实施例表现出蚀刻后的布线剖面形状良好,且在残渣评价方面也优异的结果。另一方面,使用了不包含(B)成分的蚀刻液的比较例1中,布线剖面形状发生下层的钼相比于上层的铜而言被选择性地蚀刻的、所谓的倒切。使用了不包含(B)~(F)成分的蚀刻液的比较例2和3中,没有进行蚀刻,或者抗蚀层发生剥离,可确认这些蚀刻液无法实用。另外,可确认:使用了pH在本申请发明的规定范围外的蚀刻液的比较例4中,CD损失大于1;使用了不包含(D)成分的蚀刻液的比较例5中,下层的钼被选择性蚀刻,蚀刻端面没有成为正锥,一部分变成锥角超过90度的倒锥,并且在布线剖面形状方面发生问题。可确认:使用了预先含有铜离子200ppm或者6000ppm的蚀刻液的实施例6和7的第一次蚀刻后的布线剖面形状比实施例4的第一次蚀刻后的布线剖面形状良好,且在残渣评价方面也良好。即,可确认:预先向本发明的蚀刻液中加入铜离子时,则从蚀刻液的使用初期起就显现出良好的性能。产业上的可利用性本发明的蚀刻液可优选用于包含铜层及钼层的多层薄膜的蚀刻,使用了该蚀刻液的蚀刻方法可将具有包含铜层及钼层的多层薄膜的布线一并进行蚀刻、且可使蚀刻后的布线剖面形状良好,因而可实现高生产率。